Quelques mois après Samsung, TSMC s’apprête à démarrer cette semaine sa production de puces gravées en 3 nm. Ce procédé devrait bénéficier à différents produits Apple, et ce dès ses premiers mois d’exploitation.
Coup d’envoi imminent pour une toute nouvelle finesse de gravure chez TSMC. Selon les informations de GizmoChina, le géant taïwanais lancerait, ce 29 décembre, la production en masse de ses puces fabriquées en 3 nm, coïncidant ainsi avec de nombreuses rumeurs suggérant un début de production dès cette fin d’année 2022.
Le plus gros fondeur indépendant au monde, rival de Samsung Foundry et d’IFS (Intel Foundry Services), notamment, tiendrait pour l’occasion une cérémonie dans sa Fab 18 — une de ses principales usines, située à proximité de Tainan, au sud de Taïwan. Toujours selon les sources industrielles de GizmoChina, le groupe en profiterait pour détailler son plan de route visant à développer rapidement la production de puces en 3 nm.
Apple dans les starting-blocks
Il faut dire que le temps presse pour TSMC : non seulement Samsung Foundry a lancé avant lui sa propre gravure en 3 nm, mais Apple attend de pied ferme cette évolution technologique pour servir de base technique à ses différents processeurs de nouvelle génération.
La firme devrait en effet lancer cette année ses nouveaux MacBook Pro de 14 et 16 pouces, pressentis sur le premier semestre 2023, mais aussi de nouveaux Mac mini. Ces différents appareils s’appuieraient sur des puces Apple M2 Pro (vraisemblablement en option sur le Mac mini) gravées en 3 nm. Même démarche pour l’iPhone 15 Pro, attendu à la rentrée 2023, qui s’équipera logiquement d’un SoC Apple A17 Bionic, lui aussi basé sur le procédé de gravure en 3 nm de TSMC.
Comme le souligne GizmoChina, si la gravure en 3 nm est imminente chez TSMC, le groupe n’emploiera pas tout à fait la même technologie que Samsung Foundry. TSMC conservera en effet le procédé FinFET pour ses puces 3 nm, tandis que la gravure en 3 nm de Samsung tire parti du procédé GAA (Gate-All-Around). Cette technique de gravure, plus perfectionnée, permet un contrôle plus précis des tensions appliquées à chaque transistor, ainsi qu’une meilleure efficacité énergétique. Elle ne sera toutefois exploitée par TSMC qu’à l’horizon 2025, avec la gravure en 2 nm.
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